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2.
Memory Organization
AT24C04B, 4K SERIAL EEPROM:
Internally organized with 32 pages of 16 bytes each, the 4K requires a 9-bit data
word address for random word addressing.
AT24C08B, 8K SERIAL EEPROM:
Internally organized with 64 pages of 16 bytes each, the 8K requires a 10-bit
data word address for random word addressing.
Table 2. Pin Capacitance (1)
Applicable over recommended operating range from T A = 25°C, f = 1.0 MHz, V CC = +1.8V
Symbol
C I/O
C IN
Note:
1.
Test Condition
Input/Output Capacitance (SDA)
Input Capacitance (A 0 , A 1 , A 2 , SCL)
This parameter is characterized and is not 100% tested.
Max
8
6
Units
pF
pF
Conditions
V I/O = 0V
V IN = 0V
Table 3. DC Characteristics
Applicable over recommended operating range from:
T AI = –40°C to +85°C, V CC = +1.8V to +5.5V (unless otherwise noted)
Symbol
V CC1
V CC2
V CC3
V CC4
I CC
I CC
I SB1
I SB2
I SB3
I SB4
I LI
I LO
V IL
Parameter
Supply Voltage
Supply Voltage
Supply Voltage
Supply Voltage
Supply Current V CC = 5.0V
Supply Current V CC = 5.0V
Supply Current V CC = 1.8V
Supply Current V CC = 2.5V
Supply Current V CC = 2.7V
Supply Current V CC = 5.0V
Input Leakage Current
Output Leakage Current
(1)
Input Low Level
Test Condition
READ at 100 kHz
WRITE at 100 kHz
V IN = V CC or V SS
V IN = V CC or V SS
V IN = V CC or V SS
V IN = V CC or V SS
V IN = V CC or V SS
V OUT = V CC or V SS
Min
1.8
2.5
2.7
4.5
- 0.6
Typ
0.4
2.0
0.6
1.4
1.6
8.0
0.10
0.05
Max
5.5
5.5
5.5
5.5
1.0
3.0
3.0
4.0
4.0
18.0
3.0
3.0
V CC x 0.3
Units
V
V
V
V
mA
mA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
V
V IH
V OL2
V OL1
Input High Level (1)
Output Low Level V CC = 3.0V
Output Low Level V CC = 1.8V
I OL = 2.1 mA
I OL = 0.15 mA
V CC x 0.7
V CC + 0.5
0.4
0.2
V
V
V
Note:
1.
V IL min and V IH max are reference only and are not tested.
4
AT24C04B/08B
5226G–SEEPR–11/09
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